深圳市威尔健半导体有限公司

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• BSC011N03LS PG-TDSON-8 Infineon 全新原装现货 产品属性 属性值 搜索类似 制造商: Infineon 产品种类: MOSFET RoHS: 详细信息 技术: Si 安装风格: SMD/SMT 封装 / 箱体: PG-TDSON-8 晶体管极性: N-Channel 通道数量: 1 Channel Vds-漏源极击穿电压: 30 V Id-连续漏极电流: 100 A Rds On-漏源导通电阻: 1.1 mOhms Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V Vgs th-栅源极阈值电压: 1.2 V Qg-栅极电荷: 72 nC 最小工作温度: - 55 C 最大工作温度: + 150 C Pd-功率耗散: 96 W 通道模式: Enhancement 商标名: OptiMOS 封装: Cut Tape 封装: MouseReel 封装: Reel 配置: Single 高度: 1.27 mm 长度: 5.9 mm 晶体管类型: 1 N-Channel 宽度: 5.15 mm 商标: Infineon Technologies 正向跨导 - 最小值: 85 S 下降时间: 6.2 ns 产品类型: MOSFET 上升时间: 8.8 ns 工厂包装数量: 5000 子类别: MOSFETs 典型关闭延迟时间: 37 ns 典型接通延迟时间: 6.7 ns 零件号别名: SP000799082 BSC11N3LSXT BSC011N03LSATMA1 单位重量: 100 mg
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• BSC011N03LSATMA1
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• BSC011N03LSATMA1 TDSON-8 Infineon 全新原装现货 产品属性 属性值 搜索类似 制造商: Infineon 产品种类: MOSFET RoHS: 详细信息 技术: Si 安装风格: SMD/SMT 封装 / 箱体: TDSON-8 晶体管极性: N-Channel 通道数量: 1 Channel Vds-漏源极击穿电压: 30 V Id-连续漏极电流: 100 A Rds On-漏源导通电阻: 900 uOhms Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V Vgs th-栅源极阈值电压: 1.2 V Qg-栅极电荷: 96 nC 最小工作温度: - 55 C 最大工作温度: + 150 C Pd-功率耗散: 96 W 通道模式: Enhancement 商标名: OptiMOS 封装: Cut Tape 封装: MouseReel 封装: Reel 配置: Single 高度: 1.27 mm 长度: 5.9 mm 晶体管类型: 1 N-Channel 宽度: 5.15 mm 商标: Infineon Technologies 正向跨导 - 最小值: 85 S 下降时间: 6.2 ns 产品类型: MOSFET 上升时间: 8.8 ns 工厂包装数量: 5000 子类别: MOSFETs 典型关闭延迟时间: 37 ns 典型接通延迟时间: 6.7 ns 零件号别名: BSC011N03LS SP000799082 单位重量: 110 mg
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• BSC014N03LSG
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• TDSON-8
• BSC014N03LSG TDSON-8 Infineon 全新原装现货 产品属性 属性值 搜索类似 制造商: Infineon 产品种类: MOSFET RoHS: 详细信息 技术: Si 安装风格: SMD/SMT 封装 / 箱体: TDSON-8 晶体管极性: N-Channel 通道数量: 1 Channel Vds-漏源极击穿电压: 30 V Id-连续漏极电流: 100 A Rds On-漏源导通电阻: 1.2 mOhms Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V Vgs th-栅源极阈值电压: 1 V Qg-栅极电荷: 131 nC 最小工作温度: - 55 C 最大工作温度: + 150 C Pd-功率耗散: 139 W 通道模式: Enhancement 商标名: OptiMOS 封装: Cut Tape 封装: MouseReel 封装: Reel 配置: Single 高度: 1.27 mm 长度: 5.9 mm 系列: OptiMOS 3 晶体管类型: 1 N-Channel 宽度: 5.15 mm 商标: Infineon Technologies 正向跨导 - 最小值: 65 S 下降时间: 8.6 ns 产品类型: MOSFET 上升时间: 8.6 ns 工厂包装数量: 5000 子类别: MOSFETs 典型关闭延迟时间: 51 ns 典型接通延迟时间: 13 ns 零件号别名: BSC14N3LSGXT SP000394677 BSC014N03LSGATMA1 单位重量: 107.210 mg
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• BSC014N03LSGATMA1
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• BSC014N03LSGATMA1 TDSON-8 Infineon 全新原装现货 产品属性 属性值 搜索类似 制造商: Infineon 产品种类: MOSFET RoHS: 详细信息 技术: Si 安装风格: SMD/SMT 封装 / 箱体: TDSON-8 晶体管极性: N-Channel 通道数量: 1 Channel Vds-漏源极击穿电压: 30 V Id-连续漏极电流: 100 A Rds On-漏源导通电阻: 1.2 mOhms Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V Vgs th-栅源极阈值电压: 1 V Qg-栅极电荷: 131 nC 最小工作温度: - 55 C 最大工作温度: + 150 C Pd-功率耗散: 139 W 通道模式: Enhancement 商标名: OptiMOS 封装: Cut Tape 封装: MouseReel 封装: Reel 配置: Single 高度: 1.27 mm 长度: 5.9 mm 系列: OptiMOS 3 晶体管类型: 1 N-Channel 宽度: 5.15 mm 商标: Infineon Technologies 正向跨导 - 最小值: 65 S 下降时间: 8.6 ns 产品类型: MOSFET 上升时间: 8.6 ns 工厂包装数量: 5000 子类别: MOSFETs 典型关闭延迟时间: 51 ns 典型接通延迟时间: 13 ns 零件号别名: BSC014N03LS G SP000394677 单位重量: 107.210 mg
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• BSC016N04LSG
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• BSC016N04LSG TDSON-8 Infineon 全新原装现货 产品属性 属性值 搜索类似 制造商: Infineon 产品种类: MOSFET RoHS: 详细信息 技术: Si 安装风格: SMD/SMT 封装 / 箱体: TDSON-8 晶体管极性: N-Channel 通道数量: 1 Channel Vds-漏源极击穿电压: 40 V Id-连续漏极电流: 100 A Rds On-漏源导通电阻: 1.3 mOhms Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V Vgs th-栅源极阈值电压: 1.2 V Qg-栅极电荷: 150 nC 最小工作温度: - 55 C 最大工作温度: + 150 C Pd-功率耗散: 139 W 通道模式: Enhancement 商标名: OptiMOS 封装: Cut Tape 封装: MouseReel 封装: Reel 配置: Single 高度: 1.27 mm 长度: 5.9 mm 系列: OptiMOS 3 晶体管类型: 1 N-Channel 宽度: 5.15 mm 商标: Infineon Technologies 正向跨导 - 最小值: 95 S 下降时间: 9.4 ns 产品类型: MOSFET 上升时间: 7.6 ns 工厂包装数量: 5000 子类别: MOSFETs 典型关闭延迟时间: 56 ns 典型接通延迟时间: 14 ns 零件号别名: SP000394801 BSC16N4LSGXT BSC016N04LSGATMA1 单位重量: 107.210 mg
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• BSC016N04LSGATMA1
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• BSC016N04LSGATMA1 TDSON-8 Infineon 全新原装现货 产品属性 属性值 搜索类似 制造商: Infineon 产品种类: MOSFET RoHS: 详细信息 技术: Si 安装风格: SMD/SMT 封装 / 箱体: TDSON-8 晶体管极性: N-Channel 通道数量: 1 Channel Vds-漏源极击穿电压: 40 V Id-连续漏极电流: 100 A Rds On-漏源导通电阻: 1.3 mOhms Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V Vgs th-栅源极阈值电压: 1.2 V Qg-栅极电荷: 150 nC 最小工作温度: - 55 C 最大工作温度: + 150 C Pd-功率耗散: 139 W 通道模式: Enhancement 商标名: OptiMOS 封装: Cut Tape 封装: MouseReel 封装: Reel 配置: Single 高度: 1.27 mm 长度: 5.9 mm 系列: OptiMOS 3 晶体管类型: 1 N-Channel 宽度: 5.15 mm 商标: Infineon Technologies 正向跨导 - 最小值: 95 S 下降时间: 9.4 ns 产品类型: MOSFET 上升时间: 7.6 ns 工厂包装数量: 5000 子类别: MOSFETs 典型关闭延迟时间: 56 ns 典型接通延迟时间: 14 ns 零件号别名: BSC016N04LS G SP000394801 单位重量: 119.100 mg
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• BSC018NE2LSA
• Infineon
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• TDSON-8
• BSC018NE2LSA TDSON-8 Infineon 全新原装现货 产品属性 属性值 搜索类似 制造商: Infineon 产品种类: MOSFET 技术: Si 安装风格: SMD/SMT 封装 / 箱体: TDSON-8 晶体管极性: N-Channel Vds-漏源极击穿电压: 25 V 商标名: OptiMOS 封装: Reel 高度: 1.27 mm 长度: 5.9 mm 宽度: 5.15 mm 商标: Infineon Technologies 产品类型: MOSFET 子类别: MOSFETs 零件号别名: BSC018NE2LS SP000756336
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• BSC018NE2LSATMA1
• Infineon
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• TDSON-8
• BSC018NE2LSATMA1 TDSON-8 Infineon 全新原装现货 品属性 属性值 搜索类似 制造商: Infineon 产品种类: MOSFET 技术: Si 安装风格: SMD/SMT 封装 / 箱体: TDSON-8 晶体管极性: N-Channel Vds-漏源极击穿电压: 25 V 商标名: OptiMOS 封装: Reel 高度: 1.27 mm 长度: 5.9 mm 宽度: 5.15 mm 商标: Infineon Technologies 产品类型: MOSFET 子类别: MOSFETs 零件号别名: BSC018NE2LS SP000756336
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• BSC030N08NS5
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• BSC030N08NS5 TDSON8 Infineon 全新原装现货
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• BQ2057WSN
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• BQ24400DR
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• BQ32000DR
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• BQ32002DR
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• BUF634U
• TI
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• B2405S-1W
• NXP/恩智浦
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• B2405S-1WR2
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• B340Q-13-F
• OMRON/欧姆龙
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• B39182-B9500-L310
• PHILIPS/飞利浦
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• TSSOP
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• BSC030N08NS5ATMA1
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• BSC030N08NS5ATMA1 TDSON-8 Infineon 全新原装现货 产品属性 属性值 搜索类似 制造商: Infineon 产品种类: MOSFET RoHS: 详细信息 技术: Si 安装风格: SMD/SMT 封装 / 箱体: TDSON-8 晶体管极性: N-Channel 通道数量: 1 Channel Vds-漏源极击穿电压: 80 V Id-连续漏极电流: 100 A Rds On-漏源导通电阻: 4.5 mOhms Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V Vgs th-栅源极阈值电压: 2.2 V Qg-栅极电荷: 61 nC 最小工作温度: - 55 C 最大工作温度: + 150 C Pd-功率耗散: 139 W 通道模式: Enhancement 商标名: OptiMOS 封装: Cut Tape 封装: MouseReel 封装: Reel 配置: Single 高度: 1.27 mm 长度: 5.9 mm 系列: OptiMOS 5 晶体管类型: 1 N-Channel 宽度: 5.15 mm 商标: Infineon Technologies 正向跨导 - 最小值: 55 S 下降时间: 13 ns 产品类型: MOSFET 上升时间: 12 ns 工厂包装数量: 5000 子类别: MOSFETs 典型关闭延迟时间: 43 ns 典型接通延迟时间: 20 ns 零件号别名: BSC030N08NS5 SP001077098 单位重量: 506.600 mg
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