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  • BSZ086P03NS3G TSDSON-8 Infineon 全新原装现货 产品属性 属性值 搜索类似 制造商: Infineon 产品种类: MOSFET RoHS: 详细信息 技术: Si 安装风格: SMD/SMT 封装 / 箱体: TSDSON-8 晶体管极性: P-Channel 通道数量: 1 Channel Vds-漏源极击穿电压: 30 V Id-连续漏极电流: 40 A Rds On-漏源导通电阻: 6.5 mOhms Vgs - 栅极-源极电压: - 25 V, + 25 V Vgs th-栅源极阈值电压: 3.1 V Qg-栅极电荷: 57.5 nC 最小工作温度: - 55 C 最大工作温度: + 150 C Pd-功率耗散: 69 W 通道模式: Enhancement 商标名: OptiMOS 封装: Cut Tape 封装: MouseReel 封装: Reel 配置: Single 高度: 1.1 mm 长度: 3.3 mm 系列: OptiMOS P3 晶体管类型: 1 P-Channel 宽度: 3.3 mm 商标: Infineon Technologies 正向跨导 - 最小值: 30 S 下降时间: 8 ns 产品类型: MOSFET 上升时间: 46 ns 工厂包装数量: 5000 子类别: MOSFETs 典型关闭延迟时间: 35 ns 典型接通延迟时间: 16 ns 零件号别名: SP000473024 BSZ86P3NS3GXT BSZ086P03NS3GATMA1 单位重量: 100 mg
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  • BSZ16DN25NS3GATMA1 TSDSON-8 Infineon 全新原装现货 产品属性 属性值 搜索类似 制造商: Infineon 产品种类: MOSFET RoHS: 详细信息 技术: Si 安装风格: SMD/SMT 封装 / 箱体: TSDSON-8 晶体管极性: N-Channel 通道数量: 1 Channel Vds-漏源极击穿电压: 250 V Id-连续漏极电流: 10.9 A Rds On-漏源导通电阻: 146 mOhms Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V Vgs th-栅源极阈值电压: 2 V Qg-栅极电荷: 11.4 nC 最小工作温度: - 55 C 最大工作温度: + 150 C Pd-功率耗散: 62.5 W 通道模式: Enhancement 商标名: OptiMOS 封装: Cut Tape 封装: MouseReel 封装: Reel 配置: Single 高度: 1.1 mm 长度: 3.3 mm 系列: OptiMOS 3 晶体管类型: 1 N-Channel 宽度: 3.3 mm 商标: Infineon Technologies 正向跨导 - 最小值: 7 S 下降时间: 4 ns 产品类型: MOSFET 上升时间: 4 ns 工厂包装数量: 5000 子类别: MOSFETs 典型关闭延迟时间: 11 ns 典型接通延迟时间: 6 ns 零件号别名: BSZ16DN25NS3 G SP000781800 单位重量: 36.110 mg
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  • BSC0902NSATNA1 TISON-8 Infineon 全新原装现货 产品属性 属性值 搜索类似 制造商: Infineon 产品种类: MOSFET 技术: Si 安装风格: SMD/SMT 封装 / 箱体: TISON-8 晶体管极性: N-Channel 通道数量: 2 Channel Vds-漏源极击穿电压: 25 V Id-连续漏极电流: 40 A Rds On-漏源导通电阻: 3.5 mOhms, 900 uOhms Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V Vgs th-栅源极阈值电压: 1 V Qg-栅极电荷: 6.6 nC, 30.6 nC 最小工作温度: - 55 C 最大工作温度: + 150 C Pd-功率耗散: 2.5 W 通道模式: Enhancement 商标名: OptiMOS 封装: Cut Tape 封装: MouseReel 封装: Reel 配置: Dual 高度: 1.27 mm 长度: 5.9 mm 晶体管类型: 2 N-Channel 宽度: 5.15 mm 商标: Infineon Technologies 正向跨导 - 最小值: 42 S, 85 S 下降时间: 2.4 ns, 4.1 ns 产品类型: MOSFET 上升时间: 3.6 ns, 5.6 ns 工厂包装数量: 5000 子类别: MOSFETs 典型关闭延迟时间: 13 ns, 28 ns 典型接通延迟时间: 2.4 ns, 5.6 ns 零件号别名: BSC0910NDI SP000998052 单位重量: 101.820 mg
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  • BSC0902NSATMA1 TDSON-8 Infineon 全新原装现货 产品属性 属性值 搜索类似 制造商: Infineon 产品种类: MOSFET RoHS: 详细信息 技术: Si 安装风格: SMD/SMT 封装 / 箱体: TDSON-8 晶体管极性: N-Channel 通道数量: 1 Channel Vds-漏源极击穿电压: 30 V Id-连续漏极电流: 100 A Rds On-漏源导通电阻: 2.2 mOhms Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V Vgs th-栅源极阈值电压: 1.2 V Qg-栅极电荷: 35 nC 最小工作温度: - 55 C 最大工作温度: + 150 C Pd-功率耗散: 48 W 通道模式: Enhancement 商标名: OptiMOS 封装: Cut Tape 封装: MouseReel 封装: Reel 配置: Single 高度: 1.27 mm 长度: 5.9 mm 晶体管类型: 1 N-Channel 宽度: 5.15 mm 商标: Infineon Technologies 正向跨导 - 最小值: 55 S 下降时间: 3.6 ns 产品类型: MOSFET 上升时间: 5.2 ns 工厂包装数量: 5000 子类别: MOSFETs 典型关闭延迟时间: 21 ns 典型接通延迟时间: 4.2 ns 零件号别名: BSC0902NS SP000800246 单位重量: 200 mg
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  • AIGBE40N65F5 TO263-7 INFINEON 全新原装现货
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  • BSZ0901NSIATMA1 TSDSON-8 Infineon 全新原装现货 产品属性 属性值 搜索类似 制造商: Infineon 产品种类: MOSFET 技术: Si 安装风格: SMD/SMT 封装 / 箱体: TSDSON-8 商标名: OptiMOS 封装: Reel 高度: 1.1 mm 长度: 3.3 mm 宽度: 3.3 mm 商标: Infineon Technologies 产品类型: MOSFET 子类别: MOSFETs 零件号别名: BSZ0901NSI SP000853566
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  • BSZ0901NSI TSDSON-8 Infineon 全新原装现货 产品属性 属性值 搜索类似 制造商: Infineon 产品种类: MOSFET RoHS: 详细信息 技术: Si 安装风格: SMD/SMT 封装 / 箱体: TSDSON-8 晶体管极性: N-Channel 通道数量: 1 Channel Vds-漏源极击穿电压: 30 V Id-连续漏极电流: 142 A Rds On-漏源导通电阻: 2.2 mOhms Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V Vgs th-栅源极阈值电压: 2 V Qg-栅极电荷: 41 nC 最小工作温度: - 55 C 最大工作温度: + 150 C Pd-功率耗散: 69 W 通道模式: Enhancement 商标名: OptiMOS 封装: Cut Tape 封装: MouseReel 封装: Reel 配置: Single 高度: 1 mm 长度: 3.3 mm 晶体管类型: 1 N-Channel 宽度: 3.3 mm 商标: Infineon Technologies 正向跨导 - 最小值: 50 S 下降时间: 4.6 ns 产品类型: MOSFET 上升时间: 7.2 ns 工厂包装数量: 5000 子类别: MOSFETs 典型关闭延迟时间: 27 ns 典型接通延迟时间: 5 ns 零件号别名: BSZ91NSIXT SP000853566 BSZ0901NSIATMA1 单位重量: 120 mg
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  • BSZ0901NSATMA1 TSDSON-8 Infineon 全新原装现货 产品属性 属性值 搜索类似 制造商: Infineon 产品种类: MOSFET 技术: Si 安装风格: SMD/SMT 封装 / 箱体: TSDSON-8 商标名: OptiMOS 封装: Reel 高度: 1.1 mm 长度: 3.3 mm 宽度: 3.3 mm 商标: Infineon Technologies 产品类型: MOSFET 子类别: MOSFETs 零件号别名: BSZ0901NS SP000854570
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  • BSZ0901NS TSDSON-8 Infineon 全新原装现货 产品属性 属性值 搜索类似 制造商: Infineon 产品种类: MOSFET RoHS: 详细信息 技术: Si 安装风格: SMD/SMT 封装 / 箱体: TSDSON-8 晶体管极性: N-Channel 通道数量: 1 Channel Vds-漏源极击穿电压: 30 V Id-连续漏极电流: 145 A Rds On-漏源导通电阻: 2.2 mOhms Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V Vgs th-栅源极阈值电压: 2 V Qg-栅极电荷: 45 nC 最小工作温度: - 55 C 最大工作温度: + 150 C Pd-功率耗散: 69 W 通道模式: Enhancement 商标名: OptiMOS 封装: Cut Tape 封装: MouseReel 封装: Reel 配置: Single 高度: 1 mm 长度: 3.3 mm 晶体管类型: 1 N-Channel 宽度: 3.3 mm 商标: Infineon Technologies 正向跨导 - 最小值: 70 S 下降时间: 4.8 ns 产品类型: MOSFET 上升时间: 6.8 ns 工厂包装数量: 5000 子类别: MOSFETs 典型关闭延迟时间: 28 ns 典型接通延迟时间: 5.4 ns 零件号别名: BSZ91NSXT SP000854570 BSZ0901NSATMA1 单位重量: 36.780 mg
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  • BSZ900N20NS3GATMA1 TSDSON-8 Infineon 全新原装现货 产品属性 属性值 搜索类似 制造商: Infineon 产品种类: MOSFET RoHS: 详细信息 技术: Si 安装风格: SMD/SMT 封装 / 箱体: TSDSON-8 晶体管极性: N-Channel 通道数量: 1 Channel Vds-漏源极击穿电压: 200 V Id-连续漏极电流: 15.2 A Rds On-漏源导通电阻: 77 mOhms Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V Vgs th-栅源极阈值电压: 2 V Qg-栅极电荷: 11.6 nC 最小工作温度: - 55 C 最大工作温度: + 150 C Pd-功率耗散: 62.5 W 通道模式: Enhancement 商标名: OptiMOS 封装: Cut Tape 封装: MouseReel 封装: Reel 配置: Single 高度: 1.1 mm 长度: 3.3 mm 系列: OptiMOS 3 晶体管类型: 1 N-Channel 宽度: 3.3 mm 商标: Infineon Technologies 正向跨导 - 最小值: 8 S 产品类型: MOSFET 工厂包装数量: 5000 子类别: MOSFETs 典型关闭延迟时间: 10 ns 典型接通延迟时间: 5 ns 零件号别名: BSZ900N20NS3 G SP000781806 单位重量: 36 mg
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  • BSZ900N20NS3G PG-TSDSON-8 Infineon 全新原装现货 产品属性 属性值 搜索类似 制造商: Infineon 产品种类: MOSFET RoHS: 详细信息 技术: Si 安装风格: SMD/SMT 封装 / 箱体: PG-TSDSON-8 晶体管极性: N-Channel 通道数量: 1 Channel Vds-漏源极击穿电压: 200 V Id-连续漏极电流: 15.2 A Rds On-漏源导通电阻: 90 mOhms Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V Vgs th-栅源极阈值电压: 2 V Qg-栅极电荷: 8.7 nC 最小工作温度: - 55 C 最大工作温度: + 150 C Pd-功率耗散: 62.5 W 通道模式: Enhancement 商标名: OptiMOS 封装: Cut Tape 封装: MouseReel 封装: Reel 配置: Single 高度: 1.1 mm 长度: 3.3 mm 系列: OptiMOS 3 晶体管类型: 1 N-Channel 宽度: 3.3 mm 商标: Infineon Technologies 正向跨导 - 最小值: 8 S 产品类型: MOSFET 工厂包装数量: 5000 子类别: MOSFETs 典型关闭延迟时间: 10 ns 典型接通延迟时间: 5 ns 零件号别名: SP000781806 BSZ9N2NS3GXT BSZ900N20NS3GATMA1 单位重量: 100 mg
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  • BSZ900N15NS3GATMA1 TSDSON-8 Infineon 全新原装现货 产品属性 属性值 搜索类似 制造商: Infineon 产品种类: MOSFET RoHS: 详细信息 技术: Si 安装风格: SMD/SMT 封装 / 箱体: TSDSON-8 晶体管极性: N-Channel 通道数量: 1 Channel Vds-漏源极击穿电压: 150 V Id-连续漏极电流: 13 A Rds On-漏源导通电阻: 74 mOhms Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V Vgs th-栅源极阈值电压: 2 V Qg-栅极电荷: 7 nC 最小工作温度: - 55 C 最大工作温度: + 150 C Pd-功率耗散: 38 W 通道模式: Enhancement 商标名: OptiMOS 封装: Cut Tape 封装: MouseReel 封装: Reel 配置: Single 高度: 1.1 mm 长度: 3.3 mm 系列: OptiMOS 3 晶体管类型: 1 N-Channel 宽度: 3.3 mm 商标: Infineon Technologies 正向跨导 - 最小值: 6 S 下降时间: 3 ns 产品类型: MOSFET 上升时间: 4 ns 工厂包装数量: 5000 子类别: MOSFETs 典型关闭延迟时间: 8 ns 典型接通延迟时间: 4 ns 零件号别名: BSZ900N15NS3 G SP000677866 单位重量: 38.250 mg
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  • BSZ900N15NS3G TSDSON-8 Infineon 全新原装现货 产品属性 属性值 搜索类似 制造商: Infineon 产品种类: MOSFET RoHS: 详细信息 技术: Si 安装风格: SMD/SMT 封装 / 箱体: TSDSON-8 晶体管极性: N-Channel 通道数量: 1 Channel Vds-漏源极击穿电压: 150 V Id-连续漏极电流: 13 A Rds On-漏源导通电阻: 74 mOhms Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V Vgs th-栅源极阈值电压: 2 V Qg-栅极电荷: 7 nC 最小工作温度: - 55 C 最大工作温度: + 150 C Pd-功率耗散: 38 W 通道模式: Enhancement 商标名: OptiMOS 封装: Cut Tape 封装: MouseReel 封装: Reel 配置: Single 高度: 1.1 mm 长度: 3.3 mm 系列: OptiMOS 3 晶体管类型: 1 N-Channel 宽度: 3.3 mm 商标: Infineon Technologies 正向跨导 - 最小值: 6 S 下降时间: 3 ns 产品类型: MOSFET 上升时间: 4 ns 工厂包装数量: 5000 子类别: MOSFETs 典型关闭延迟时间: 8 ns 典型接通延迟时间: 4 ns 零件号别名: SP000677866 BSZ9N15NS3GXT BSZ900N15NS3GATMA1 单位重量: 100 mg
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  • BSZ0803LSATMA1
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  • BSZ0803LSATMA1 TSDSON-8 Infineon 全新原装现货 产品属性 属性值 搜索类似 制造商: Infineon 产品种类: MOSFET RoHS: 详细信息 技术: Si 安装风格: SMD/SMT 封装 / 箱体: TSDSON-8 晶体管极性: N-Channel 通道数量: 1 Channel Vds-漏源极击穿电压: 100 V Id-连续漏极电流: 40 A Rds On-漏源导通电阻: 16 mOhms Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V Vgs th-栅源极阈值电压: 1.7 V Qg-栅极电荷: 15 nC 最小工作温度: - 55 C 最大工作温度: + 150 C Pd-功率耗散: 52 W 通道模式: Enhancement 封装: Cut Tape 封装: MouseReel 封装: Reel 晶体管类型: 1 N-Channel 商标: Infineon Technologies 正向跨导 - 最小值: 18 S 下降时间: 3.2 ns 产品类型: MOSFET 上升时间: 3.2 ns 工厂包装数量: 5000 子类别: MOSFETs 典型关闭延迟时间: 14.3 ns 典型接通延迟时间: 4.7 ns 零件号别名: BSZ0803LS SP001614108
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  • BSZ0803LS TSDSON-8 Infineon 全新原装现货 产品属性 属性值 搜索类似 制造商: Infineon 产品种类: MOSFET RoHS: 详细信息 技术: Si 安装风格: SMD/SMT 封装 / 箱体: TSDSON-8 晶体管极性: N-Channel 通道数量: 1 Channel Vds-漏源极击穿电压: 100 V Id-连续漏极电流: 40 A Rds On-漏源导通电阻: 16 mOhms Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V Vgs th-栅源极阈值电压: 1.7 V Qg-栅极电荷: 15 nC 最小工作温度: - 55 C 最大工作温度: + 150 C Pd-功率耗散: 52 W 通道模式: Enhancement 封装: Cut Tape 封装: MouseReel 封装: Reel 晶体管类型: 1 N-Channel 商标: Infineon Technologies 正向跨导 - 最小值: 18 S 下降时间: 3.2 ns 产品类型: MOSFET 上升时间: 3.2 ns 工厂包装数量: 5000 子类别: MOSFETs 典型关闭延迟时间: 14.3 ns 典型接通延迟时间: 4.7 ns 零件号别名: BSZ0803LS SP001614108
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  • BSZ0703LSATMA1 TSDSON-8 Infineon 全新原装现货 产品属性 属性值 搜索类似 制造商: Infineon 产品种类: MOSFET RoHS: 详细信息 技术: Si 安装风格: SMD/SMT 封装 / 箱体: TSDSON-8 晶体管极性: N-Channel 通道数量: 1 Channel Vds-漏源极击穿电压: 60 V Id-连续漏极电流: 40 A Rds On-漏源导通电阻: 7.3 mOhms Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V Vgs th-栅源极阈值电压: 1.7 V Qg-栅极电荷: 10 nC 最小工作温度: - 55 C 最大工作温度: + 150 C Pd-功率耗散: 46 W 封装: Cut Tape 封装: Reel 晶体管类型: 1 N-Channel 商标: Infineon Technologies 正向跨导 - 最小值: 25 S 下降时间: 2.6 ns 湿度敏感性: Yes 产品类型: MOSFET 上升时间: 2.9 ns 工厂包装数量: 5000 子类别: MOSFETs 典型关闭延迟时间: 14 ns 典型接通延迟时间: 5 ns 零件号别名: BSZ0703LS SP001614096
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  • BSZ0703LS PG-TSDSON-8 Infineon 全新原装现货 产品属性 属性值 搜索类似 制造商: Infineon 产品种类: MOSFET 技术: Si 封装: Reel 商标: Infineon Technologies 产品类型: MOSFET 子类别: MOSFETs
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  • BSZ0702LSATMA1
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  • BSZ0702LSATMA1 TSDSON-8 Infineon 全新原装现货 产品属性 属性值 搜索类似 制造商: Infineon 产品种类: MOSFET RoHS: 详细信息 技术: Si 安装风格: SMD/SMT 封装 / 箱体: TSDSON-8 晶体管极性: N-Channel 通道数量: 1 Channel Vds-漏源极击穿电压: 60 V Id-连续漏极电流: 40 A Rds On-漏源导通电阻: 4.4 mOhms Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V Vgs th-栅源极阈值电压: 1.7 V Qg-栅极电荷: 18 nC 最小工作温度: - 55 C 最大工作温度: + 150 C Pd-功率耗散: 69 W 通道模式: Enhancement 封装: Cut Tape 封装: MouseReel 封装: Reel 晶体管类型: 1 N-Channel 商标: Infineon Technologies 正向跨导 - 最小值: 32 S 下降时间: 4.8 ns 产品类型: MOSFET 上升时间: 4.8 ns 工厂包装数量: 5000 子类别: MOSFETs 典型关闭延迟时间: 25.6 ns 典型接通延迟时间: 8.5 ns 零件号别名: BSZ0702LS SP001614090
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  • BSZ0702LS TSDSON-8 Infineon 全新原装现货 产品属性 属性值 搜索类似 制造商: Infineon 产品种类: MOSFET RoHS: 详细信息 技术: Si 安装风格: SMD/SMT 封装 / 箱体: TSDSON-8 晶体管极性: N-Channel 通道数量: 1 Channel Vds-漏源极击穿电压: 60 V Id-连续漏极电流: 40 A Rds On-漏源导通电阻: 4.4 mOhms Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V Vgs th-栅源极阈值电压: 1.7 V Qg-栅极电荷: 18 nC 最小工作温度: - 55 C 最大工作温度: + 150 C Pd-功率耗散: 69 W 通道模式: Enhancement 封装: Cut Tape 封装: MouseReel 封装: Reel 晶体管类型: 1 N-Channel 商标: Infineon Technologies 正向跨导 - 最小值: 32 S 下降时间: 4.8 ns 产品类型: MOSFET 上升时间: 4.8 ns 工厂包装数量: 5000 子类别: MOSFETs 典型关闭延迟时间: 25.6 ns 典型接通延迟时间: 8.5 ns 零件号别名: BSZ0702LS SP001614090
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