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  • BSZ065N03LSATMA1 TSDSON-8  Infineon 全新原装现货

    产品类别: 品牌: 批号: 封装: 数量:
    产品说明: BSZ065N03LSATMA1 TSDSON-8 Infineon 全新原装现货 产品属性 属性值 搜索类似 制造商: Infineon 产品种类: MOSFET RoHS: 详细信息 技术: Si 安装风格: SMD/SMT 封装 / 箱体: TSDSON-8 晶体管极性: N-Channel 通道数量: 1 Channel Vds-漏源极击穿电压: 30 V Id-连续漏极电流: 49 A Rds On-漏源导通电阻: 6.5 mOhms Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V Vgs th-栅源极阈值电压: 2 V Qg-栅极电荷: 10 nC 最小工作温度: - 55 C 最大工作温度: + 150 C Pd-功率耗散: 26 W 通道模式: Enhancement 商标名: OptiMOS 封装: Cut Tape 封装: MouseReel 封装: Reel 配置: Single 高度: 1.1 mm 长度: 3.3 mm 晶体管类型: 1 N-Channel 宽度: 3.3 mm 商标: Infineon Technologies 正向跨导 - 最小值: 34 S 下降时间: 2.4 ns 产品类型: MOSFET 上升时间: 3.4 ns 工厂包装数量: 5000 子类别: MOSFETs 典型关闭延迟时间: 12 ns 典型接通延迟时间: 2.5 ns 零件号别名: BSZ065N03LS SP000799084 单位重量: 35.310 mg
  • BSZ050N03LSG TSDSON-8 Infineon 全新原装现货

    产品类别: 品牌: 批号: 封装: 数量:
    产品说明: BSZ050N03LSG TSDSON-8 Infineon 全新原装现货 产品属性 属性值 搜索类似 制造商: Infineon 产品种类: MOSFET RoHS: 详细信息 技术: Si 安装风格: SMD/SMT 封装 / 箱体: TSDSON-8 晶体管极性: N-Channel 通道数量: 1 Channel Vds-漏源极击穿电压: 30 V Id-连续漏极电流: 40 A Rds On-漏源导通电阻: 6.2 mOhms Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V Vgs th-栅源极阈值电压: 2.2 V Qg-栅极电荷: 26 nC 最小工作温度: - 55 C 最大工作温度: + 150 C Pd-功率耗散: 50 W 通道模式: Enhancement 商标名: OptiMOS 封装: Cut Tape 封装: MouseReel 封装: Reel 配置: Single 高度: 1.1 mm 长度: 3.3 mm 系列: OptiMOS 3 晶体管类型: 1 N-Channel 宽度: 3.3 mm 商标: Infineon Technologies 正向跨导 - 最小值: 38 S 下降时间: 3.6 ns 产品类型: MOSFET 上升时间: 4 ns 工厂包装数量: 5000 子类别: MOSFETs 典型关闭延迟时间: 21 ns 典型接通延迟时间: 5.2 ns 零件号别名: BSZ5N3LSGXT SP000304139 BSZ050N03LSGATMA1 单位重量: 39.770 mg
  • BSZ050N03LSGATMA1 TSDSON-8 Infineon 全新原装现货

    产品类别: 品牌: 批号: 封装: 数量:
    产品说明: BSZ050N03LSGATMA1 TSDSON-8 Infineon 全新原装现货 产品属性 属性值 搜索类似 制造商: Infineon 产品种类: MOSFET RoHS: 详细信息 技术: Si 安装风格: SMD/SMT 封装 / 箱体: TSDSON-8 晶体管极性: N-Channel 通道数量: 1 Channel Vds-漏源极击穿电压: 30 V Id-连续漏极电流: 40 A Rds On-漏源导通电阻: 6.2 mOhms Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V Vgs th-栅源极阈值电压: 2.2 V Qg-栅极电荷: 26 nC 最小工作温度: - 55 C 最大工作温度: + 150 C Pd-功率耗散: 50 W 通道模式: Enhancement 商标名: OptiMOS 封装: Cut Tape 封装: MouseReel 封装: Reel 配置: Single 高度: 1.1 mm 长度: 3.3 mm 系列: OptiMOS 3 晶体管类型: 1 N-Channel 宽度: 3.3 mm 商标: Infineon Technologies 正向跨导 - 最小值: 38 S 下降时间: 3.6 ns 产品类型: MOSFET 上升时间: 4 ns 工厂包装数量: 5000 子类别: MOSFETs 典型关闭延迟时间: 21 ns 典型接通延迟时间: 5.2 ns 零件号别名: BSZ050N03LS G SP000304139 单位重量: 2 g
  • BSZ050N03MSG TSDSON-8  Infineon 全新原装现货

    产品类别: 品牌: 批号: 封装: 数量:
    产品说明: BSZ050N03MSG TSDSON-8 Infineon 全新原装现货 产品属性 属性值 搜索类似 制造商: Infineon 产品种类: MOSFET RoHS: 详细信息 技术: Si 安装风格: SMD/SMT 封装 / 箱体: TSDSON-8 晶体管极性: N-Channel 通道数量: 1 Channel Vds-漏源极击穿电压: 30 V Id-连续漏极电流: 80 A Rds On-漏源导通电阻: 4.6 mOhms Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V Vgs th-栅源极阈值电压: 2 V Qg-栅极电荷: 34 nC 最小工作温度: - 55 C 最大工作温度: + 150 C Pd-功率耗散: 48 W 通道模式: Enhancement 商标名: OptiMOS 封装: Cut Tape 封装: MouseReel 封装: Reel 配置: Single 高度: 1.1 mm 长度: 3.3 mm 系列: OptiMOS 3M 晶体管类型: 1 N-Channel 宽度: 3.3 mm 商标: Infineon Technologies 正向跨导 - 最小值: 38 S 下降时间: 3.2 ns 产品类型: MOSFET 上升时间: 4.2 ns 工厂包装数量: 5000 子类别: MOSFETs 典型关闭延迟时间: 26 ns 典型接通延迟时间: 6.7 ns 零件号别名: SP000311518 BSZ5N3MSGXT BSZ050N03MSGATMA1 单位重量: 38.320 mg
  • BSZ050N03MSGATMA1 TSDSON-8 Infineon 全新原装现货

    产品类别: 品牌: 批号: 封装: 数量:
    产品说明: BSZ050N03MSGATMA1 TSDSON-8 Infineon 全新原装现货 产品属性 属性值 搜索类似 制造商: Infineon 产品种类: MOSFET 技术: Si 安装风格: SMD/SMT 封装 / 箱体: TSDSON-8 商标名: OptiMOS 封装: Reel 高度: 1.1 mm 长度: 3.3 mm 宽度: 3.3 mm 商标: Infineon Technologies 产品类型: MOSFET 子类别: MOSFETs 零件号别名: BSZ050N03MS G SP000311518
  • BSZ058N03LSG  TSDSON-8  Infineon 全新原装现货

    产品类别: 品牌: 批号: 封装: 数量:
    产品说明: BSZ058N03LSG TSDSON-8 Infineon 全新原装现货 产品属性 属性值 搜索类似 制造商: Infineon 产品种类: MOSFET RoHS: 详细信息 技术: Si 安装风格: SMD/SMT 封装 / 箱体: TSDSON-8 晶体管极性: N-Channel 通道数量: 1 Channel Vds-漏源极击穿电压: 30 V Id-连续漏极电流: 40 A Rds On-漏源导通电阻: 7.1 mOhms Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V Vgs th-栅源极阈值电压: 2.2 V Qg-栅极电荷: 22 nC 最小工作温度: - 55 C 最大工作温度: + 150 C Pd-功率耗散: 45 W 通道模式: Enhancement 商标名: OptiMOS 封装: Cut Tape 封装: MouseReel 封装: Reel 配置: Single 高度: 1.1 mm 长度: 3.3 mm 系列: OptiMOS 3 晶体管类型: 1 N-Channel 宽度: 3.3 mm 商标: Infineon Technologies 正向跨导 - 最小值: 36 S 下降时间: 3.2 ns 产品类型: MOSFET 上升时间: 3.6 ns 工厂包装数量: 5000 子类别: MOSFETs 典型关闭延迟时间: 19 ns 典型接通延迟时间: 4.6 ns 零件号别名: BSZ58N3LSGXT SP000307424 BSZ058N03LSGATMA1 单位重量: 38.230 mg
  • BSZ058N03LSGATMA1 TSDSON-8  Infineon 全新原装现货

    产品类别: 品牌: 批号: 封装: 数量:
    产品说明: BSZ058N03LSGATMA1 TSDSON-8 Infineon 全新原装现货 产品属性 属性值 搜索类似 制造商: Infineon 产品种类: MOSFET RoHS: 详细信息 技术: Si 安装风格: SMD/SMT 封装 / 箱体: TSDSON-8 晶体管极性: N-Channel 通道数量: 1 Channel Vds-漏源极击穿电压: 30 V Id-连续漏极电流: 40 A Rds On-漏源导通电阻: 7.1 mOhms Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V Vgs th-栅源极阈值电压: 2.2 V Qg-栅极电荷: 22 nC 最小工作温度: - 55 C 最大工作温度: + 150 C Pd-功率耗散: 45 W 通道模式: Enhancement 商标名: OptiMOS 封装: Cut Tape 封装: MouseReel 封装: Reel 配置: Single 高度: 1.1 mm 长度: 3.3 mm 系列: OptiMOS 3 晶体管类型: 1 N-Channel 宽度: 3.3 mm 商标: Infineon Technologies 正向跨导 - 最小值: 36 S 下降时间: 3.2 ns 产品类型: MOSFET 上升时间: 3.6 ns 工厂包装数量: 5000 子类别: MOSFETs 典型关闭延迟时间: 19 ns 典型接通延迟时间: 4.6 ns 零件号别名: BSZ058N03LS G SP000307424 单位重量: 38.230 mg
  • BSZ063N04LS6 PQFN3X3 INFINEON 全新原装现货

    产品类别: 品牌: 批号: 封装: 数量:
    产品说明: BSZ063N04LS6 PQFN3X3 INFINEON 全新原装现货
  • BSZ063N04LS6 TDSON-8 INFINEON 全新原装现货

    产品类别: 品牌: 批号: 封装: 数量:
    产品说明: BSZ063N04LS6 TDSON-8 INFINEON 全新原装现货
  • BSZ063N04LS6ATMA1 TSDSON-FL-8 Infineon 全新原装现货

    产品类别: 品牌: 批号: 封装: 数量:
    产品说明: BSZ063N04LS6ATMA1 TSDSON-FL-8 Infineon 全新原装现货 产品属性 属性值 搜索类似 制造商: Infineon 产品种类: MOSFET RoHS: 详细信息 技术: Si 安装风格: SMD/SMT 封装 / 箱体: TSDSON-FL-8 晶体管极性: N-Channel 通道数量: 1 Channel Vds-漏源极击穿电压: 40 V Id-连续漏极电流: 40 A Rds On-漏源导通电阻: 7 mOhms Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V Vgs th-栅源极阈值电压: 2.3 V Qg-栅极电荷: 9.5 nC 最小工作温度: - 55 C 最大工作温度: + 175 C Pd-功率耗散: 38 W 通道模式: Enhancement 商标名: OptiMOS 封装: Cut Tape 封装: Reel 配置: Single 系列: BSZ0xx 晶体管类型: 1 N-Channel 商标: Infineon Technologies 正向跨导 - 最小值: 64 S 下降时间: 2 ns 产品类型: MOSFET 上升时间: 1 ns 工厂包装数量: 5000 子类别: MOSFETs 典型关闭延迟时间: 10 ns 典型接通延迟时间: 3 ns 零件号别名: BSZ063N04LS6 SP001687058 单位重量: 35.350 mg