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  • BSZ065N06LS5ATMA1 TSDSON-8 Infineon 全新原装现货

    产品类别: 品牌: 批号: 封装: 数量:
    产品说明: BSZ065N06LS5ATMA1 TSDSON-8 Infineon 全新原装现货 产品属性 属性值 搜索类似 制造商: Infineon 产品种类: MOSFET RoHS: 详细信息 技术: Si 安装风格: SMD/SMT 封装 / 箱体: TSDSON-8 晶体管极性: N-Channel 通道数量: 1 Channel Vds-漏源极击穿电压: 60 V Id-连续漏极电流: 40 A Rds On-漏源导通电阻: 6.5 mOhms Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V Vgs th-栅源极阈值电压: 1.7 V Qg-栅极电荷: 10 nC 最小工作温度: - 55 C 最大工作温度: + 150 C Pd-功率耗散: 46 W 通道模式: Enhancement 封装: Cut Tape 封装: MouseReel 封装: Reel 配置: Single 高度: 1.1 mm 长度: 3.3 mm 晶体管类型: 1 N-Channel 宽度: 3.3 mm 商标: Infineon Technologies 正向跨导 - 最小值: 25 S 下降时间: 2.6 ns 产品类型: MOSFET 上升时间: 2.9 ns 工厂包装数量: 5000 子类别: MOSFETs 典型关闭延迟时间: 14 ns 典型接通延迟时间: 5 ns 零件号别名: BSZ065N06LS5 SP001385612 单位重量: 36.460 mg
  • BSZ068N06NS TSDSON-8  Infineon 全新原装现货

    产品类别: 品牌: 批号: 封装: 数量:
    产品说明: BSZ068N06NS TSDSON-8 Infineon 全新原装现货 产品属性 属性值 搜索类似 制造商: Infineon 产品种类: MOSFET RoHS: 详细信息 技术: Si 安装风格: SMD/SMT 封装 / 箱体: TSDSON-8 晶体管极性: N-Channel 通道数量: 1 Channel Vds-漏源极击穿电压: 60 V Id-连续漏极电流: 40 A Rds On-漏源导通电阻: 8.2 mOhms Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V Vgs th-栅源极阈值电压: 2.8 V Qg-栅极电荷: 17 nC 最小工作温度: - 55 C 最大工作温度: + 150 C Pd-功率耗散: 46 W 通道模式: Enhancement 商标名: OptiMOS 封装: Cut Tape 封装: MouseReel 封装: Reel 配置: Single 高度: 1 mm 长度: 3.3 mm 系列: OptiMOS 5 晶体管类型: 1 N-Channel 宽度: 3.3 mm 商标: Infineon Technologies 正向跨导 - 最小值: 20 S 下降时间: 3 ns 产品类型: MOSFET 上升时间: 3 ns 工厂包装数量: 5000 子类别: MOSFETs 典型关闭延迟时间: 12 ns 典型接通延迟时间: 7 ns 零件号别名: SP001067002 BSZ068N06NSATMA1 单位重量: 36.460 mg
  • BSZ068N06NSATMA1 TSDSON-8  Infineon 全新原装现货

    产品类别: 品牌: 批号: 封装: 数量:
    产品说明: BSZ068N06NSATMA1 TSDSON-8 Infineon 全新原装现货 产品属性 属性值 搜索类似 制造商: Infineon 产品种类: MOSFET RoHS: 详细信息 技术: Si 安装风格: SMD/SMT 封装 / 箱体: TSDSON-8 晶体管极性: N-Channel 通道数量: 1 Channel Vds-漏源极击穿电压: 60 V Id-连续漏极电流: 40 A Rds On-漏源导通电阻: 8.2 mOhms Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V Vgs th-栅源极阈值电压: 2.8 V Qg-栅极电荷: 17 nC 最小工作温度: - 55 C 最大工作温度: + 150 C Pd-功率耗散: 46 W 通道模式: Enhancement 商标名: OptiMOS 封装: Cut Tape 封装: MouseReel 封装: Reel 配置: Single 高度: 1 mm 长度: 3.3 mm 系列: OptiMOS 5 晶体管类型: 1 N-Channel 宽度: 3.3 mm 商标: Infineon Technologies 正向跨导 - 最小值: 20 S 下降时间: 3 ns 产品类型: MOSFET 上升时间: 3 ns 工厂包装数量: 5000 子类别: MOSFETs 典型关闭延迟时间: 12 ns 典型接通延迟时间: 7 ns 零件号别名: BSZ068N06NS SP001067002 单位重量: 156 mg
  • BSZ070N08LS5 TSDSON-3x3-8 Infineon 全新原装现货

    产品类别: 品牌: 批号: 封装: 数量:
    产品说明: BSZ070N08LS5 TSDSON-3x3-8 Infineon 全新原装现货 产品属性 属性值 搜索类似 制造商: Infineon 产品种类: MOSFET 技术: Si 安装风格: SMD/SMT 封装 / 箱体: TSDSON-3x3-8 封装: Reel 高度: 1.1 mm 长度: 3.3 mm 宽度: 3.3 mm 商标: Infineon Technologies 产品类型: MOSFET 子类别: MOSFETs
  • BSZ070N08LS5ATMA1 TSDSON-8 Infineon 全新原装现货

    产品类别: 品牌: 批号: 封装: 数量:
    产品说明: BSZ070N08LS5ATMA1 TSDSON-8 Infineon 全新原装现货 产品属性 属性值 搜索类似 制造商: Infineon 产品种类: MOSFET RoHS: 详细信息 技术: Si 安装风格: SMD/SMT 封装 / 箱体: TSDSON-8 晶体管极性: N-Channel 通道数量: 1 Channel Vds-漏源极击穿电压: 80 V Id-连续漏极电流: 40 A Rds On-漏源导通电阻: 7.4 mOhms Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V Vgs th-栅源极阈值电压: 1.7 V Qg-栅极电荷: 14.1 nC 最小工作温度: - 55 C 最大工作温度: + 150 C Pd-功率耗散: 69 W 通道模式: Enhancement 商标名: OptiMOS 封装: Cut Tape 封装: MouseReel 封装: Reel 配置: Single 高度: 1.1 mm 长度: 3.3 mm 系列: OptiMOS 5 晶体管类型: 1 N-Channel 宽度: 3.3 mm 商标: Infineon Technologies 正向跨导 - 最小值: 26 S 下降时间: 5.8 ns 产品类型: MOSFET 上升时间: 4.8 ns 工厂包装数量: 5000 子类别: MOSFETs 典型关闭延迟时间: 24.6 ns 典型接通延迟时间: 6.1 ns 零件号别名: BSZ070N08LS5 SP001352992 单位重量: 36.760 mg
  • BSZ075N08NS5 TSDSON-3x3-8  Infineon 全新原装现货

    产品类别: 品牌: 批号: 封装: 数量:
    产品说明: BSZ075N08NS5 TSDSON-3x3-8 Infineon 全新原装现货 产品属性 属性值 搜索类似 制造商: Infineon 产品种类: MOSFET 技术: Si 安装风格: SMD/SMT 封装 / 箱体: TSDSON-3x3-8 封装: Reel 高度: 1.1 mm 长度: 3.3 mm 宽度: 3.3 mm 商标: Infineon Technologies 产品类型: MOSFET 子类别: MOSFETs
  • BSZ075N08NS5ATMA1  TSDSON-8 Infineon 全新原装现货

    产品类别: 品牌: 批号: 封装: 数量:
    产品说明: BSZ075N08NS5ATMA1 TSDSON-8 Infineon 全新原装现货 产品属性 属性值 搜索类似 制造商: Infineon 产品种类: MOSFET RoHS: 详细信息 技术: Si 安装风格: SMD/SMT 封装 / 箱体: TSDSON-8 晶体管极性: N-Channel 通道数量: 1 Channel Vds-漏源极击穿电压: 80 V Id-连续漏极电流: 40 A Rds On-漏源导通电阻: 8.5 mOhms Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V Vgs th-栅源极阈值电压: 3 V Qg-栅极电荷: 24 nC 最小工作温度: - 55 C 最大工作温度: + 150 C Pd-功率耗散: 69 W 通道模式: Enhancement 商标名: OptiMOS 封装: Cut Tape 封装: MouseReel 封装: Reel 配置: Single 高度: 1.1 mm 长度: 3.3 mm 系列: OptiMOS 5 晶体管类型: 1 N-Channel 宽度: 3.3 mm 商标: Infineon Technologies 正向跨导 - 最小值: 21 S 下降时间: 4 ns 产品类型: MOSFET 上升时间: 4 ns 工厂包装数量: 5000 子类别: MOSFETs 典型关闭延迟时间: 19 ns 典型接通延迟时间: 10 ns 零件号别名: BSZ075N08NS5 SP001132454 单位重量: 120 mg
  • BSZ076N06NS3G TSDSON-8 Infineon 全新原装现货

    产品类别: 品牌: 批号: 封装: 数量:
    产品说明: BSZ076N06NS3G TSDSON-8 Infineon 全新原装现货 产品属性 属性值 搜索类似 制造商: Infineon 产品种类: MOSFET RoHS: 详细信息 技术: Si 安装风格: SMD/SMT 封装 / 箱体: TSDSON-8 晶体管极性: N-Channel 通道数量: 1 Channel Vds-漏源极击穿电压: 60 V Id-连续漏极电流: 20 A Rds On-漏源导通电阻: 7.6 mOhms Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V Vgs th-栅源极阈值电压: 3 V Qg-栅极电荷: 37 nC 最小工作温度: - 55 C 最大工作温度: + 150 C Pd-功率耗散: 69 W 通道模式: Enhancement 商标名: OptiMOS 封装: Cut Tape 封装: MouseReel 封装: Reel 配置: Single 高度: 1.1 mm 长度: 3.3 mm 系列: OptiMOS 3 晶体管类型: 1 N-Channel 类型: OptiMOS 3 Power-Transistor 宽度: 3.3 mm 商标: Infineon Technologies 正向跨导 - 最小值: 39 S, 20 S 下降时间: 5 ns 产品类型: MOSFET 上升时间: 40 ns 工厂包装数量: 5000 子类别: MOSFETs 典型关闭延迟时间: 20 ns 典型接通延迟时间: 15 ns 零件号别名: BSZ76N6NS3GXT SP000454420 BSZ076N06NS3GATMA1 单位重量: 76 mg
  • BSZ076N06NS3GATMA1 TSDSON-8	Infineon 全新原装现货

    产品类别: 品牌: 批号: 封装: 数量:
    产品说明: BSZ076N06NS3GATMA1 TSDSON-8 Infineon 全新原装现货 产品属性 属性值 搜索类似 制造商: Infineon 产品种类: MOSFET 技术: Si 安装风格: SMD/SMT 封装 / 箱体: TSDSON-8 商标名: OptiMOS 封装: Reel 高度: 1.1 mm 长度: 3.3 mm 宽度: 3.3 mm 商标: Infineon Technologies 产品类型: MOSFET 子类别: MOSFETs 零件号别名: BSZ076N06NS3 G SP000454420 BSZ76N6NS3GXT
  • BSZ084N08NS5 TSDSON-3x3-8 Infineon 全新原装现货

    产品类别: 品牌: 批号: 封装: 数量:
    产品说明: BSZ084N08NS5 TSDSON-3x3-8 Infineon 全新原装现货 产品属性 属性值 搜索类似 制造商: Infineon 产品种类: MOSFET 技术: Si 安装风格: SMD/SMT 封装 / 箱体: TSDSON-3x3-8 封装: Reel 高度: 1.1 mm 长度: 3.3 mm 宽度: 3.3 mm 商标: Infineon Technologies 产品类型: MOSFET 子类别: MOSFETs