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型号：BSP299L6327HUSA1
制造商: Infineon
产品种类: GaN 场效应晶体管
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SOT-223-4
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 500 V
Id-连续漏极电流: 400 mA
Rds On-漏源导通电阻: 4 Ohms
Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 1.8 W
