型号：NIF62514T1G
品牌;_onsemi(安森美)
封装: SOT-223
描述: 台积电流片，长电科技封装；是一款单通道N沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于需要小功率场效应管的应用场景，例如电源管理模块、传感器模块、LED驱动模块和便携式电子产品等领域。SOT223；N—Channel沟道,60V；4.5A；RDS(ON)=76mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~2.5V；
类型: 1个N沟道
漏源电压(Vdss): 60V
连续漏极电流(Id): 4.5A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 76mΩ@10V
类目: 场效应管(MOSFET)
