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BSP772TXUMA1 中文资料 数据手册 详细参数

发布时间2025-3-14 10:58:00关键词:BSP772TXUMA1
摘要

BSP772TXUMA1 Infineon(英飞凌) SOIC-8 60000PCS 现货供应 欢迎来电咨询

BSP772TXUMA1

BSP772TXUMA1 是一款 N 沟道增强型功率 MOSFET,以下是其相关中文资料介绍:

品牌: Infineon(英飞凌)

封装: SOIC-8

通道数: 1

输出电流: 2.6A

工作电压: 5V~34V

导通电阻: 50mΩ

类目: 功率电子开关

特点

低导通电阻:在导通状态下,具有较低的电阻,能够有效降低导通损耗,提高效率。例如,在特定条件下,其导通电阻典型值可低至几十毫欧。

快速开关特性:可以快速地在导通和截止状态之间切换,适用于高频开关应用,能够减少开关过程中的能量损耗,提高开关速度和效率。

高电压能力:能够承受较高的电压,其漏源击穿电压通常可达几十伏甚至更高,适用于一些对电压要求较高的电路。

小尺寸封装:采用 SOT - 363 封装,尺寸紧凑,有利于节省电路板空间,适合应用于空间受限的小型化电子设备中。

电气参数

漏源电压(VDS):一般为 40V 等不同规格,具体取决于产品型号和版本,这表示该 MOSFET 能够承受的最大漏源电压,超过此电压可能会导致器件损坏。

栅源电压(VGS):通常为 ±20V,即栅极与源极之间所能承受的最大电压范围,在使用时应确保栅源电压在此范围内,以保证器件正常工作且不被损坏。

漏极电流(ID):连续漏极电流一般在几安培级别,如 2A、3A 等,这是指在正常工作条件下,漏极能够持续通过的最大电流。峰值漏极电流则更高,可用于短时间内承受较大的电流冲击。

导通电阻(RDS(on)):如前文所述,其导通电阻较低,典型值可能在 30mΩ 至 100mΩ 左右,具体数值与器件的工作条件和温度等因素有关。导通电阻会影响器件在导通状态下的功率损耗,电阻越低,损耗越小。

应用领域

电源管理电路:用于直流 - 直流转换器、线性稳压器等,实现对电源的高效控制和管理,能够在不同负载条件下稳定输出电压,并通过其低导通电阻特性降低电源损耗,提高电源效率。

电机驱动:可用于驱动小型直流电机、步进电机等,通过控制 MOSFET 的导通和截止来控制电机的转速和转向。其快速开关特性能够实现对电机的精确控制,并且可以承受电机启动和运行过程中产生的较大电流。

音频放大器:在音频功率放大器电路中,用于放大音频信号的功率,以驱动扬声器等音频输出设备。其低失真特性有助于保证音频信号的质量,减少音频信号在放大过程中的失真和噪声。

其他领域:还可应用于各种需要对电流进行控制和开关的电路中,如电子开关、继电器驱动、电池充电器等,在这些应用中,BSP772TXUMA1 能够发挥其高性能的开关和电流控制能力,提高电路的可靠性和效率。