NIF5003NT1G 中文资料 数据手册 详细参数

NIF5003NT1G

品牌: ON

封装: SOT-223

描述: 台积电流片，长电科技封装；是一款单N型MOSFET，采用Trench工艺，适用于便携式电子设备、DC-DC转换器、LED驱动器等领域。SOT223；N—Channel沟道,60V；7A；RDS(ON)=28mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~3V；

类型: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 60V

连续漏极电流(Id): 7A

耗散功率(Pd): 3.3W

类目: 场效应管(MOSFET)