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BSP299H6327XUSA1 中文资料 数据手册 详细参数

发布时间2025-4-16 15:09:00关键词:BSP299H6327XUSA1
摘要

BSP299H6327XUSA1 Infineon 60000PCS 现货供应 欢迎来电咨询

BSP299H6327XUSA1

制造商Infineon

型号 BSP299H6327XUSA1

MOSFET

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)400mA(Ta)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)4 欧姆 @ 400mA,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)4V @ 1mA

Vgs(最大值)±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)

400 pF @ 25 VFET 功能

功率耗散(最大值)1.8W(Ta)

工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)

等级 汽车级