型号 BSP318SH6327XTSA1
品牌 Infineon/英飞凌
封装 SOT-223
FET 类型 P 通道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 980mA（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 900 毫欧 @ 980mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 4V @ 380µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）12 nC @ 10 V
Vgs（最大值）±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）319 pF @ 25 V
功率耗散（最大值） 1.8W（Ta）
工作温度-55°C ~ 150°C（TJ）
