型号 BSP295E6327T
品牌 Infineon/英飞凌
封装 SOT-223
FET 类型 N 沟道，耗尽型
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 120mA（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 0V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）45 欧姆 @ 120mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 1V @ 94µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）4.9 nC @ 5 V
Vgs（最大值） ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）146 pF @ 25 V
功率耗散（最大值） 1.8W（Ta）
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
等级 汽车级
