产品型号 ：LM350AT/NOPB
制造商： TI(德州仪器）
类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：400V 连续漏极电流(Id)：170mA 功率(Pd)：1.8W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：25Ω@10V,170mA 阈值电压(Vgs(th)@Id)：2.3V@94uA
产品系列：N沟道
包装：编带
BSP324H6327XTSA1 场效应管(MOSFET)
摘要
BSP324H6327XTSA1 Infineon(英飞凌)10KPCS 现货供应
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