您好,欢迎来到深圳市威尔健半导体有限公司

BSP316PH6327XTSA1 中文资料 数据手册 详细参数

发布时间2025-8-27 15:40:00关键词:BSP316PH6327XTSA1
摘要

BSP316PH6327XTSA1 60000PCS

BSP316PH6327XTSA1

型号 BSP316PH6327XTSA1

品牌 INFINEON/英飞凌

封装 SOT-223

FET 类型 P 通道

技术 MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss) 100 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 680mA(Ta)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 1.8 欧姆 @ 680mA,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 2V @ 170µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 6.4 nC @ 10 V

Vgs(最大值) ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 146 pF @ 25 V

功率耗散(最大值) 1.8W(Ta)

工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)