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NCV8450STT3G 栅极驱动芯片 中文资料 数据手册 详细参数

发布时间2024-9-26 9:51:00关键词:NCV8450STT3G
摘要

NCV8450STT3G

NCV8450STT3G

型号:NCV8450STT3G

制造商: ONSEMI/安森美

产品种类: MOSFET

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: SOT-223-3

晶体管极性: N-Channel

通道数量: 1 Channel

Vds-漏源极击穿电压: 45 V

Id-连续漏极电流: 800 mA

Rds On-漏源导通电阻: 1 Ohms

最小工作温度: - 40 C

最大工作温度: + 125 C

Pd-功率耗散: 1.7 W