型号 BSP88E6327
品牌
封装
FET 类型 P 通道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 1.9A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 300 毫欧 @ 1.9A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 14 nC @ 10 V
Vgs（最大值） ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 410 pF @ 25 V
功率耗散（最大值） 1.8W（Ta）
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
