型号 BSP170PE6327T
品牌 Infineon(英飞凌)
封装 SOT-223
FET 类型 P 通道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 250 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 430mA（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）4 欧姆 @ 430mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）2V @ 370µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）15.1 nC @ 10 V
Vgs（最大值）±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）262 pF @ 25 V
功率耗散（最大值）1.8W（Ta）
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
