BSP295E6327T 中文资料 数据手册 详细参数
发布时间：2026-2-9 16:42:00
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NCV8402ASTT3G 中文资料 数据手册 详细参数
发布时间：2026-2-7 10:38:00
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BSP149L6327HTSA1 中文资料 数据手册 详细参数
发布时间：2026-2-4 15:20:00
BSP149L6327HTSA1 nfineon/英飞凌 60000PCS ，型号 BSP149L6327HTSA1 品牌 Infineon/英飞凌 封装 SOT223 FET 类型 N 通道 技术 MOSFET（金[详情]
NCV8402ASTT1G 中文资料 数据手册 详细参数
发布时间：2026-1-30 10:51:00
NCV8402ASTT1G onsemi/安森美 60000PCS ，型号NCV8402ASTT1G 品牌 onsemi/安森美 封装 SOT223 开关类型 通用 输出数 1 比率 - 输入:输出 1：1 输出配置 [详情]
BSP316PE6327T 中文资料 数据手册 详细参数
发布时间：2026-1-29 17:07:00
BSP316PE6327T nfineon/英飞凌 60000PCS ，型号 BSP316PE6327T 品牌 Infineon/英飞凌 封装 SOT-223 FET 类型 N 通道 技术 MOSFET（金属氧化物[详情]
BSP320SH6327XTSA1 中文资料 数据手册 详细参数
发布时间：2026-1-28 17:14:00
BSP320SH6327XTSA1 Infineon/英飞凌 800000PCS，型号 BSP320SH6327XTSA1 品牌 Infineon/英飞凌 封装 SOT-223 ET 类型 N 通道 技术 MOSFET（金属氧化[详情]
BSP296L6433HTMA1 中文资料 数据手册 详细参数
发布时间：2026-1-26 10:00:00
BSP296L6433HTMA1 Infineon/英飞凌 60000PCS ，型号 BSP296L6433HTMA1 品牌 Infineon/英飞凌 封装 SOT-223 FET 类型 N 通道 技术 MOSFET（金属[详情]
BSP123E6327T 中文资料 数据手册 详细参数
发布时间：2026-1-22 10:55:00
BSP123E6327T ineon/英飞凌 60000PCS ，型号 BSP123E6327T 品牌 Infineon/英飞凌 封装 SOT-223 FET 类型 N 通道 技术 MOSFET（金属氧化物） 漏源电压[详情]
BSP613PH6327XTSA1中文资料 数据手册 详细参数
发布时间：2026-1-21 17:29:00
BSP613PH6327XTSA1 nfineon/英飞凌 60000PCS ，型号 BSP613PH6327XTSA1 品牌 Infineon/英飞凌 封装 SOT-223 FET 类型 P 通道 技术 MOSFET（金[详情]
NCV8405ASTT3G 中文资料 数据手册 详细参数
发布时间：2026-1-19 10:40:00
NCV8405ASTT3G onsemi/安森美 60000PCS ，型号 NCV8405ASTT3G 品牌 onsemi/安森美 封装 SOT-223 开关类型 通用 输出数 1 比率 - 输入:输出 1：1[详情]
NCV8440STCT1G 中文资料 数据手册 详细参数
发布时间：2026-1-16 11:55:00
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BSP320SH6433XTMA1 中文资料 数据手册 详细参数
发布时间：2026-1-12 9:37:00
BSP320SH6433XTMA1 60000PCS ，型号 BSP320SH6433XTMA1 品牌 Infineon/英飞凌 封装 SOT-223 技术 MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss） 200 V 2[详情]
BSP129H6327XTSA1 中文资料 数据手册 详细参数
发布时间：2026-1-4 13:45:00
BSP129H6327XTSA1 Infineon/英飞凌 60000PCS，型号 BSP129H6327XTSA1 品牌 Infineon/英飞凌 封装 SOT223 FET 类型 N 通道 技术 MOSFET（金属氧[详情]
BSP316PH6327XTSA1 – 低导通电阻 P 沟道 MOSFET
发布时间：2025-12-29 9:21:00
BSP316PH6327XTSA1 是英飞凌推出的一款 小信号 P 沟道 MOSFET，适用于空间受限、对效率和开关特性要求较高的应用场景，型号 BSP316PH6327XTSA1 品牌 Infineon/英飞凌 封装 SOT-2[详情]
BSP321PL6327HTSA1 中文资料 数据手册 详细参数
发布时间：2025-12-26 15:53:00
BSP321PL6327HTSA1 INFINEON/英飞凌 60000PCS ，型号BSP321PL6327HTSA1 品牌 INFINEON/英飞凌 封装 SOT223 FET 类型 P 通道 技术 MOSFET（[详情]
BSP170PE6327T 中文资料 数据手册 详细参数
发布时间：2025-12-24 13:45:00
BSP170PE6327T 60000PCS ，型号 BSP170PE6327T 品牌 INFINEON/英飞凌 封装 SOT223 FET 类型 N 通道 技术 MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）100[详情]
BSP88E6327 晶体管 datasheet 关键参数、封装尺寸与应用解析
发布时间：2025-12-22 14:50:00
BSP88E6327 是一款 NPN 小信号功率晶体管，具备低饱和压降、快速开关特性和较高电流承载能力，适用于开关驱动、电平转换、小功率放大等应用.，型号 BSP88E6327 品牌 Infineon/英飞凌 封装 SOT-223 [详情]
BSP317PL6327HTSA1 中文资料 数据手册 详细参数
发布时间：2025-12-20 11:35:00
BSP317PL6327HTSA1 数量：60000PCS ，型号 BSP317PL6327HTSA1 品牌 Infineon/英飞凌 封装 SOT-223 FET 类型 P 通道 技术 MOSFET（金属氧化物） 漏源电压[详情]
BSP296L6327HTSA1 中文资料 数据手册 详细参数
发布时间：2025-12-19 13:42:00
BSP296L6327HTSA1 60000PCS ，型号 BSP296L6327HTSA1 品牌 Infineon/英飞凌 封装 SOT223 ET 类型 N 通道 技术 MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（V[详情]
BSP297L6327HTSA1 中文资料 数据手册 详细参数
发布时间：2025-12-18 11:09:00
BSP297L6327HTSA1 60000PCS ，型号BSP297L6327HTSA1 品牌 Infineon/英飞凌 封装 SOT-223 技术MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）200 V 25°C 时[详情]
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