BSP613PL6327HUSA1 中文资料 数据手册 详细参数

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制造商: Infineon

产品种类: GaN 场效应晶体管

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: SOT-223-4

晶体管极性: P-Channel

通道数量: 1 Channel

Vds-漏源极击穿电压: 60 V

Id-连续漏极电流: 2.9 A

Rds On-漏源导通电阻: 130 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V

最小工作温度: - 55 C

最大工作温度: + 150 C

Pd-功率耗散: 1.8 W